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全球最小非揮發性快閃記憶體單元 英飛凌研發成功 寄給朋友 友善列印
【中時電子報 】 涂志豪/台北報導德國半導體大廠英飛凌科技昨日宣佈,已成功研發出全球最小的非揮發性快閃記憶體單元,新的晶片單元小達二○奈米,比人類的毛髮細五千倍,而包括微影等所有製造方面的困難也獲得解決,這項新晶片單元將可讓NAND規格快閃記憶體容量達到三十二Gb,是目前市場主要四Gb晶片的八倍。
NAND快閃記憶體已被視為資料儲存應用主流晶片,但目前一般NAND晶片內的單元大小約是九○奈米,若要以目前一般製造技術將晶片尺寸縮減一半,將因奈米尺度(nanoscale)物理效應而出現許多問題,製造二○奈米的快閃記憶體單元也被視為不可能,因為物理效應的不穩定,會讓NAND晶片記憶單位變得極大可靠,資料很容易流失。
不過英飛凌利用獨特的帶著鰭狀的三度空間結構,應用在記憶體單元電晶體部份,克服了晶片微縮物理效應不穩定問題。英飛凌也指出,目前市面上最先進的記憶體,大約要一千個電子才能記錄一個位元的資料,但新的記憶體單元中,只要一百個電子就可記綠一個位元,額外的一百個電子則可用來記錄在同一個電晶體中的第二個位元,此外,就算電荷降低,仍可表現絕佳的電氣特性。