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全球最小非揮發性快閃記憶體單元 英飛凌研發成功 寄給朋友 　 友善列印    
  
【中時電子報 】 涂志豪／台北報導德國半導體大廠英飛凌科技昨日宣佈，已成功研發出全球最小的非揮發性快閃記憶體單元，新的晶片單元小達二○奈米，比人類的毛髮細五千倍，而包括微影等所有製造方面的困難也獲得解決，這項新晶片單元將可讓NAND規格快閃記憶體容量達到三十二Gb，是目前市場主要四Gb晶片的八倍。
 
NAND快閃記憶體已被視為資料儲存應用主流晶片，但目前一般NAND晶片內的單元大小約是九○奈米，若要以目前一般製造技術將晶片尺寸縮減一半，將因奈米尺度（nanoscale）物理效應而出現許多問題，製造二○奈米的快閃記憶體單元也被視為不可能，因為物理效應的不穩定，會讓NAND晶片記憶單位變得極大可靠，資料很容易流失。

不過英飛凌利用獨特的帶著鰭狀的三度空間結構，應用在記憶體單元電晶體部份，克服了晶片微縮物理效應不穩定問題。英飛凌也指出，目前市面上最先進的記憶體，大約要一千個電子才能記錄一個位元的資料，但新的記憶體單元中，只要一百個電子就可記綠一個位元，額外的一百個電子則可用來記錄在同一個電晶體中的第二個位元，此外，就算電荷降低，仍可表現絕佳的電氣特性。